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PA2033 光电二极管阵列
PA2033
光电二极管阵列
概述
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概述
光电探测器由6芯片光电二极管组成。这些二极管采用平面工艺技术制造。光电二极管用氮化硅进行了钝化处理,氮化硅用作抗反射层。二极管被粘合到印刷电路板上,由透明环氧胶提供保护。二极管阵列可以光电或光电导模式工作。
特性
高响应度
低电容
高可靠性
峰值波长达830 nm
规格手册
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规格手册
规格手册: PA2033 Photodiode arrays
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