磁阻效應

磁阻效應感測器由具備磁性靈敏合金條（例如鐵鎳 (NiFe)）的電阻器組成。外部磁場會擠壓 NiFe 中的磁域，並降低材質的阻抗。移除磁場後，阻抗會快速回復正常值，因此可用作磁場偵測的工具。共有三種常見的磁阻效應類型：異向磁阻 (AMR)、穿隧磁阻 (TMR) 及巨磁阻 (GMR)。AMR 感測器最常運用在編碼器工業中。

阻抗的變化不受磁場的極性影響。例如，32 磁極的環每圈會產生 32 個脈衝，具備 32 磁極編碼器輪的霍爾效應感測器每圈只會產生 16 個脈衝。這讓磁阻效應感測器非常適合增量式應用。

但該技術同時也有其缺點。磁阻效應感測器雖然以半導體技術製造，但並非實心狀態裝置，因此無法直接整合至晶片層級的處理器。這些分離式感測器體積較大、製造難度更高，而且需要額外的支援電路，使得成本和複雜度上升。

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